<track id="cg34a"><xmp id="cg34a">

    <th id="cg34a"><video id="cg34a"></video></th><th id="cg34a"><option id="cg34a"></option></th><th id="cg34a"><video id="cg34a"></video></th>

  1. <th id="cg34a"></th>
    <tr id="cg34a"></tr>

        
        
              >> 中文簡體     
            Technic  
            New Products  
            Home  >> Technic >> Text

            CMOS technology breakthrough in the current limit of transistor technology


            www.elainecharton.com 2008-4-7

                

            Freescale Semiconductor company's ITFET (Inverted T Channel-Field 

            Effect Transistor) technology make it come true that a single 

            transistor can be both in the combination of vertical and planar 

            thin body structure, which overcome a vertical multi-gate 

            transistors challenges faced in many design and production, 

            and is expected to open up high performance, low power, small 

            size of the next-generation semiconductor devices. By combining 

            the CMOS’ stability and vertical and low leakage current advantages, 

            the technology end of the vertical planar CMOS and CMOS between 

            the controversy, so it achieve the comprehensive advantages of the 

            two in a single device. As in the vertical channel planar areas 

            mixes silicon, increase the channel width, ITFET vertical planar 

            areas provide enhanced current capability, which reduces 

            parasitic resistance and enhancing the mechanical stability of 

            the vertical channel. Compared with traditional CMOS, the technology 

            can achieve more gate, greater drive current, which reduces 

            leakage current than planar thin body and vertical multi-gate 

            CMOS .CMOS has many advantages, such as: lower leakage current , 

            lower parasitic capacitance and higher on-current, etc.The 

            ITFET technology plan based on the application of 45 nm or above 

            high-end devices.

             <<Back: Nothing
             >>Next: Nothing
             
            Copyright©2003- Shenzhen Huajingda Electronic Co., Ltd. All Right Reserved. YUE-ICP-06054581   Stat.    Powered by  CNebuyer  
             
            青草青草久热精品视频_欧美日韩亚洲国产一区二区_中文字幕亚洲欧美日韩2019_亚洲小说区图片区电影